POSCAP三洋高分子电容
POSCAP因为在阳极采用钽烧结体(APA系列为铝箔)，在阴极里采用独自的做法使高分子有机半导体形成具有高度的导电性能，不仅使得形状大幅度变小,高度变低,等效串联电阻(ESR) 变小。并且拥有出色的高频率特性, *为适合电子设备的数字化, 高频化的小型化电容器。同时也具有可靠性高,耐热性的特性。
特征:
1.采用导电性高分子以实现等效串联电阻(ESR)小
作为频率的一个功率,高频率用于除去噪声时的*佳状态是加大容许纹波电流，*适合用
于转换电流的平滑电容器以及个人电脑CPU周围负载变化中的保护电容器。
2.无铅化对应
端子上采用镀和金(金-钯), 内部材料均不使用铅。
3.长寿命105℃ x 2000小时保证
因为采用在高温稳定性中表现出色的导电性高分子，可实现105℃×2,000小时的长寿命。
※ 除去一部分机种。
4.在零下55℃时平定的温度特性
由于能够生成周密,贴付性好的导电性高分子，所以对阻抗,ESR温度影响小,可广泛应用于
各种设备
5.高温冲击电流特性
根据导电性高分子优越的自我修复能力，可保证20A的冲击电流。
6.高度的焊接耐压性能(240℃，10秒)
由于拥有240℃10秒的焊接耐热性保证，可对应于流程中的焊接。
可以实现10μF～1000μF的大容量范围
广泛应用于AP系列，TP系列，TH系列,，TQ系列的容量范围。
万一出故障时与钽电容相比具有很高的安全性
用途:
数码相机，DVD播放机，个人电脑，导航系统，HDD，手机，各种携带终端机器的噪声过滤器和接应迂回道路电容器等。 |
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